-
1 тип проводимости
тип проводимости
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > тип проводимости
-
2 тип проводимости
1) Engineering: conduction type, polarity of conductivity2) Electronics: conductivity type -
3 тип проводимости
Русско-английский политехнический словарь > тип проводимости
-
4 основной тип проводимости
Makarov: conduction is mainly by ( e. g., electrons) (напр. электронный)Универсальный русско-английский словарь > основной тип проводимости
-
5 примесь, определяющая тип проводимости
Microelectronics: conductivity determining impurityУниверсальный русско-английский словарь > примесь, определяющая тип проводимости
-
6 тип электропроводности
тип электропроводности
тип проводимости
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > тип электропроводности
-
7 тип удельной проводимости
Microelectronics: conductivity typeУниверсальный русско-английский словарь > тип удельной проводимости
-
8 тип удельной проводимости
Русско-английский словарь по микроэлектронике > тип удельной проводимости
-
9 примесь, определяющая тип удельной проводимости полупроводника
Microelectronics: conductivity-type determining dopantУниверсальный русско-английский словарь > примесь, определяющая тип удельной проводимости полупроводника
-
10 параметры пьезоэлектрических резонаторов
2.2.18 параметры пьезоэлектрических резонаторов (parameters of piezoelectric resonators): Основные параметры C1, L1, R1 и С0 определяют эквивалентную электрическую схему, приведенную на рисунке 1, и все другие параметры можно определять с их помощью. На установленной частоте параметры эквивалентной электрической схемы обычно приближаются к постоянным значениям, поскольку амплитуда колебаний приближается к нулю.
Амплитуда, которая может быть допущена перед тем, как она существенно повлияет на параметры, очень зависит от типа резонатора, и ее можно определять только экспериментально.
Формула для импеданса Z или полной проводимости Y
(1)
эквивалентная электрическая схема пьезоэлектрического резонатора является основной формулой, представляющей взаимоотношения между разными параметрами.
В формуле (1)
и δ = 2πfC0R1
являются нормализованным коэффициентом частоты и нормализованным коэффициентом демпфирования соответственно. Определения для fpи fsи других обозначений, используемых в формуле (1), и для других основных параметров приведены в таблице 1. Характерные частоты из формулы (1) определены в таблице 2.
Таблица 2 - Решения для разных характеристических частот
Характеристические частоты
Определение
Условие
Соответствующее уравнение для частоты
fm
Частота максимальной проводимости (минимального модуля импеданса)
(Ω2 + δ2)2 - 2δ2(Ω + r) - 2Ωr(1 - Ω) - Ω2 = 0
fs
Частота динамического (последовательного) резонанса
Х1 = 0
Ω = 0
fr
Резонансная частота
хe = вp = 0
Ω(1 - Ω) - δ2 = 0
fa
Антирезонансная частота
хe = вp = 0
Ω (1 - Ω) - δ2 = 0
fp
Частота параллельного резонанса (без потерь)
|хe| = ∞
для R1 = 0
Ω = 1
fn
Частота при минимальной проводимости (максимальном модуле импеданса)
(Ω2 + δ2)2 - 2δ2(Ω + R)- 2Ωr(1 - Ω) - Ω2 = 0
Значение импеданса эквивалентной электрической схемы (|Z|), его активная составляющая Re, его реактивная составляющая Хеи реактивное сопротивление Х1 ветви L1, C1, R1нанесены на рисунке 2 в виде зависимости от частоты для определения разных характерных частот. |Zm| и |Zn| обозначают минимальный и максимальный импеданс соответственно и Rr, Ra при нулевом фазовом угле. Эти кривые, однако, имеют только качественный характер и не представляют конкретный пьезоэлектрический резонатор.
Рисунок 2 - Зависимость импеданса |Z|,активного сопротивления Re,реактивного сопротивления Хе, сопротивления последовательной ветви Х1 пьезоэлектрического резонатора от частоты
Для более подробного объяснения на рисунке 3 представлены окружности импеданса и проводимости пьезоэлектрического резонатора. Однако представление в виде окружности импеданса или проводимости пьезоэлектрического резонатора действительно только, если диаметр окружности велик по сравнению с изменением 2πfС0 в диапазоне резонанса или если r << Q2, что выполняется в большинстве резонаторов. Если последние условия не выполняются, кривая проводимости имеет вид циссоиды. Далее предполагается, что импеданс (или проводимость) резонатора можно представить в виде окружности. В таблице 3 приведены данные по Q, r и Q2/r для разных типов резонаторов, показывая, что это предположение справедливо для всех практических случаев.
Рисунок 3 - Диаграмма импеданса и полной проводимости пьезоэлектрического резонатора
Таблица 3 - Предположительные минимальные значения Q/r для различных типов пьезоэлектрических резонаторов
Тип пьезоэлектрического резонатора
Q = Mr
r
Q2/rmin
Пьезоэлектрическая керамика
90 - 500
2 - 40
200
Водорастворимые пьезоэлектрические кристаллы
200 - 50000
3 - 500
80
Кварц
104 - 107
100 - 50000
2000
Для получения практических уравнений для обычного использования необходимо сделать предположения. Погрешность этих предположений в сумме с инструментальной погрешностью управляет общей погрешностью определенных экспериментально параметров.
В качестве первого приближения, достаточного для многих практических случаев, можно сделать следующие предположения
fm = fr = fsи fa = fn = fр.
Более точные соотношения между характерными частотами fm, fr, fa, fр, fnи частотой последовательного fsрезонанса резонатора, действительные для добротности М > 10 и коэффициента емкости r > 10, приведены в таблице 4. Эти соотношения получены при предположении, что М >>1.
Различие между частотами параллельного и последовательного резонансов определяют по уравнению
(2)
Для больших значений г можно использовать приближение, выраженное формулой
(3)
(например, при r > 25 ошибка составляет менее 1 %).
Источник: ГОСТ Р МЭК 60122-1-2009: Резонаторы оцениваемого качества кварцевые. Часть 1. Общие технические условия оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > параметры пьезоэлектрических резонаторов
-
11 проводимость
admittance, conductivity* * *проводи́мость ж.1. ( явление или процесс переноса заряда) conductionосновно́й тип проводи́мости, напр. электро́нный — conduction is mainly by, e. g., electrons2. ( количественная оценка процесса переноса заряда) conductanceакти́вная проводи́мость ( часть полной проводимости) — conductance (real part of admittance)акти́вная, входна́я проводи́мость — input conductanceвзаи́мная проводи́мость — transfer conductanceволнова́я проводи́мость — characteristic admittanceды́рочная проводи́мость ( процесс переноса заряда) — p -type [hole(-type) ] conductionпроводи́мость за счёт избы́точных носи́телей — excess conductionпроводи́мость изоля́ции — shunt conductanceио́нная проводи́мость — ionic conductionмагни́тная проводи́мость — permeanceметалли́ческая проводи́мость — metallic conductionо́бщая проводи́мость узло́в — mutual conductance of nodesодносторо́нняя проводи́мость — unidirectional conductionоблада́ть односторо́нней проводи́мостью — have the property of conducting current in one direction onlyперехо́дная проводи́мость — indicial admittanceперехо́дная, и́мпульсная проводи́мость — delta function responseпове́рхностная проводи́мость — surface conductionпо́лная проводи́мость — admittanceпо́лная, акусти́ческая проводи́мость — acoustic admittanceпо́лная, входна́я проводи́мость — input admittanceпо́лная, выходна́я проводи́мость — output admittanceпо́лная, ко́мплексная проводи́мость — complex admittanceпо́лная проводи́мость нагру́зки — load admittanceпо́лная, перехо́дная проводи́мость — transfer admittanceпо́лная, со́бственная проводи́мость — self-admittanceпри́месная проводи́мость — impurity [extrinsic] conductionпряма́я проводи́мость — forward conductanceреакти́вная проводи́мость — susceptanceреакти́вная, ё́мкостная проводи́мость ( мнимая часть полной проводимости) — capacitive susceptance (imaginary part of admittance)реакти́вная, индукти́вная проводи́мость ( мнимая часть полной проводимости) — inductive susceptance (imaginary part of admittance)со́бственная проводи́мость — intrinsic conductionсо́бственная проводи́мость узла́ — self-conductance of a nodeтемнова́я проводи́мость — dark conductionуде́льная проводи́мость — conductivity, specific conductanceпроводи́мость уте́чки — leakage conductanceпроводи́мость четырёхпо́люсника, обра́тная — reverse admittance of a two-portпроводи́мость четырёхпо́люсника, переда́точная — transfer admittance of a two-portпроводи́мость четырёхпо́люсника, пряма́я — forward admittance of a two-portэлектри́ческая проводи́мость — conductance; ( коэффициент) (electrical) conductivityэлектро́нная проводи́мость — electron conduction, conduction by electrons, n -type conduction
См. также в других словарях:
тип проводимости — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN polarity of conductivity … Справочник технического переводчика
тип проводимости — laidumo tipas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. conductivity type vok. Leitfähigkeitstyp, m rus. тип проводимости, m pranc. type de conduction, m … Fizikos terminų žodynas
тип электропроводности — тип проводимости — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия Синонимы тип проводимости EN conductivity type … Справочник технического переводчика
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг … Википедия
МОП-структура — (металл оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл … … Википедия
Леговец, Курт — Курт Леговец Kurt Lehovec Дата рождения: 12 июня 1918(1918 06 12) Место рождения: Ледвице … Википедия
Изобретение интегральной схемы — Основная статья: Интегральная схема Идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника впервые предложил в 1952 году британский радиотехник Джеффри Даммер[en]. Год спустя Харвик Джонсон подал… … Википедия
полупроводниковые материалы — полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. Используют главным образом кристаллические полупроводниковые материалы (например, легированные монокристаллы кремния или германия, химические соединения некоторых… … Энциклопедический словарь
Легирование — Не следует путать с с лигированием в медицине и биохимии. Легирование (нем. legieren «сплавлять», от лат. ligare «связывать») добавление в состав материалов примесей для изменения (улучшения) физических и химических… … Википедия